Электронный шунт построен на IGBT транзисторе, сочетающий достоинства основных типов транзисторов:
- от полевых транзисторов с изолированным затвором - высокое входное сопротивление и низкий уровень управляющей мощности
- от биполярных транзисторов - низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии
В сравнении с медным шунтом обладает существенными преимуществами:
ИШ-95 | ЭШ | |
Общая масса | 124 кг | 21 кг |
Масса меди | 54 кг | 1 кг |
Максимальный ток | 520 А | 1500 А |
Возможность плавного регулирования тока | отсутствует | имеется |
Конструктивное исполнение соответствует посадочным местам шунта ИШ-95, что позволяет легко и быстро установить электронный шунт на место демонтированного медного.